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Document Number: 83763
2
Rev. 1.8, 20-Sep-10
TCST1030
Vishay Semiconductors
Transmissive Optical Sensor with
Phototransistor Output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Fig. 1 - Power Dissipation Limit vs. Ambient Temperature
OUTPUT (DETECTOR)
Collector emitter voltage
V
CEO
70
V
Emitter collector voltage
V
ECO
7
V
Collector current
I
C
100
mA
Power dissipation
T
amb
 d 25 癈
P
V
150
mW
Junction temperature
T
j
100
癈
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
amb
 = 25 癈, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
VALUE
UNIT
0
0
100
200
300
400
95 11088
T
amb
- Ambient Temperature (癈)
Coupled device
Phototransistor
IR-diode
150
120
90
60
30
BASIC CHARACTERISTICS (T
amb
 = 25 癈, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL    MIN.
TYP.
MAX.    UNIT
COUPLER
Collector current
V
CE
 = 5 V, I
F
 = 10 mA
I
C
1.2
2.4
mA
Collector emitter saturation
voltage
I
F
 = 10 mA, I
C
 = 1 mA
V
CEsat
0.8
V
INPUT (EMITTER)
Forward voltage
I
F
 = 60 mA
V
F
1.25
1.5
V
Junction capacitance
V
R
 = 0 V, f = 1 MHz
C
j
50
pF
OUTPUT (DETECTOR)
Collector emitter voltage
I
C
 = 1 mA
V
CEO
70
V
Emitter collector voltage
I
E
 = 10 糀
V
ECO
7
V
Collector dark current
V
CE
 = 25 V, I
F
 = 0 A, E = 0 lx    I
CEO
10
100
nA
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-on time
I
C
 = 1 mA, V
CE
 = 5 V,
R
L
 = 100 ?(see figure 2)
t
on
15
約
Turn-off time
I
C
 = 1 mA, V
CE
 = 5 V,
R
L
 = 100 ?(see figure 2)
t
off
10
約
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